对比图
型号 STD35NF06LT4 STD90N03L STD15NF10T4
描述 STMICROELECTRONICS STD35NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 VN沟道30V - 0.005ヘ - 80A - DPAK / IPAK STripFET⑩ III功率MOSFET N-channel 30V - 0.005ヘ - 80A - DPAK/IPAK STripFET⑩ III Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V - 100 V
额定电流 35.0 A - 23.0 A
通道数 - - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.014 Ω - 0.065 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 80 W 95 W 70 W
阈值电压 1 V - 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 30 V 100 V
漏源击穿电压 60.0 V - 100 V
栅源击穿电压 ±16.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 17.5 A - 23.0 A
上升时间 100 ns 135 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 2805pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 80 W 95 W 70 W
下降时间 20 ns 33 ns 17 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 80W (Tc) 95W (Tc) 70W (Tc)
输入电容 1700 pF - -
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.2 mm 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.4 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99