对比图
型号 SI9933CDY-T1-GE3 SI9934BDY-T1-E3 SI9934BDY-T1-GE3
描述 P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor双 P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 4.8A 8Pin SOIC N T/R
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC
漏源极电阻 0.075 Ω 0.028 Ω 0.028 Ω
极性 P-Channel Dual P-Channel P-Channel
耗散功率 3.1 W 1.1 W 1.1 W
漏源极电压(Vds) - -12.0 V -
连续漏极电流(Ids) - -6.40 A -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -50 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2000 mW 1.1 W -
针脚数 8 - -
上升时间 50 ns - -
输入电容(Ciss) 665pF @10V(Vds) - -
下降时间 13 ns - -
长度 5 mm 5 mm -
宽度 4 mm 4 mm -
高度 1.55 mm 1.55 mm -
封装 SOIC-8 SOIC SOIC
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -
包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)