BD678AG和BD678AS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD678AG BD678AS 2N6035G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BD678AG.  双极性晶体管达林顿晶体管 PNP Epitaxial SilON SEMICONDUCTOR  2N6035G  双极性晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 4.00 A -4.00 A 4.00 A

额定功率 - 14 W -

极性 PNP, P-Channel PNP PNP, P-Channel

耗散功率 40 W 14 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 750 @2A, 3V 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 40 W 14 W 40 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 14000 mW 40000 mW

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

针脚数 3 - 3

直流电流增益(hFE) 750 - 15

最大电流放大倍数(hFE) - - 15000

长度 7.74 mm 8 mm -

宽度 2.66 mm 3.25 mm -

高度 11.04 mm 11.2 mm -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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