对比图
型号 APT10M07JVFR IXFN230N10 IXFN150N10
描述 Trans MOSFET N-CH 100V 225A 4Pin SOT-227IXYS SEMICONDUCTOR IXFN230N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 A, 100 V, 6 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227B
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Chassis Chassis
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 225 A - 150 A
耗散功率 700 W 700 W 520 W
输入电容 21.6 nF - -
栅电荷 1.05 µC - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 225 A 230 A -
上升时间 60 ns 150 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 18000pF @25V(Vds) 19000pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)
下降时间 20 ns 60 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 700000 mW 700W (Tc) 520W (Tc)
额定功率(Max) - 700 W 520 W
通道数 - 1 -
针脚数 - 4 -
漏源极电阻 - 0.006 Ω -
极性 - N-Channel -
阈值电压 - 4 V -
封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4
长度 - - 38.23 mm
宽度 - 25.42 mm 25.42 mm
高度 - - 9.6 mm
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -