对比图
型号 IPI60R520CPAKSA1 SPI07N65C3 SPI07N65C3HKSA1
描述 TO-262 N-CH 600V 6.8A新的革命高电压技术，超低栅极电荷定期额定雪崩 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche ratedTO-262 N-CH 650V 7.3A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 66W (Tc) - 83W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 6.8A 7.30 A 7.3A
上升时间 12 ns 3.5 ns 3.5 ns
输入电容(Ciss) 630pF @100V(Vds) 790pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds)
下降时间 16 ns 7 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 66W (Tc) - 83W (Tc)
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 7.30 A -
输入电容 - 790 pF -
栅电荷 - 27.0 nC -
额定功率(Max) - 83 W -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1
长度 - 10.2 mm -
宽度 - 4.5 mm -
高度 - 9.45 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free