对比图
型号 FQPF17P06 SFS9Z34 FQPF11P06
描述 60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETQFET® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V
额定电流 -12.0 A - -11.4 A
漏源极电阻 120 mΩ 140 mΩ 175 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 39W (Tc) 36.0 W 30 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±30.0 V ±25.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12A 8.30 A
输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) - 550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 39 W - 30 W
耗散功率(Max) 39W (Tc) - 30W (Tc)
上升时间 - - 40 ns
下降时间 - - 45 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
长度 - - 10.36 mm
宽度 - - 4.9 mm
高度 - - 16.07 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99