25LC256-I/ST和M95256-WDW6TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 25LC256-I/ST M95256-WDW6TP 25LC256-I/SN

描述 25LC256 系列 256 Kb (32 K x 8) 5.5 V 表面贴装 SPI 总线 串行 EEPROM - TSSOP-8256Kbit和128Kbit的串行SPI总线的EEPROM采用高速时钟 256Kbit and 128Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大时钟 10 MHz 最大写入电流 5 mA 读取电流:6 mA(典型) 待机电流:1 μA(典型) 32,768 x 8 位组织 64 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体) Microchip (微芯)

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 SOIC-8

频率 10 MHz 5 MHz 10 MHz

供电电流 6 mA 5 mA 6 mA

针脚数 - 8 8

时钟频率 10 MHz 20 MHz 10 MHz

存取时间(Max) 50 ns 60 ns 50 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 2.5 V 2.5 V 2.5 V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 2.5V ~ 5.5V - 2.5V ~ 5.5V

存取时间 50 ns - 50 ns

内存容量 32000 B - 32000 B

输入电容 7 pF - 7 pF

上升时间 100 ns - 100 ns

下降时间 100 ns - 100 ns

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 SOIC-8

长度 3 mm - 4.9 mm

宽度 4.4 mm - 3.9 mm

高度 1 mm - 1.25 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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