对比图
型号 NTD3055L104-1G NTD3055L104T4G STD12NF06L-1
描述 ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104-1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V 新ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 VN沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-251-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 25.0 A 12.0 A 12.0 A
通道数 - 1 -
针脚数 3 4 3
漏源极电阻 0.089 Ω 0.089 Ω 0.06 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 48 W 48 W 42.8 W
阈值电压 1.6 V 1.6 V 2 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A 12.0 A
上升时间 104 ns 104 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 30 W
下降时间 40.5 ns 40.5 ns 13 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.5 W 1.5 W 42.8W (Tc)
输入电容 440 pF - -
栅电荷 20.0 nC - -
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.38 mm 2.38 mm 6.2 mm
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -