70T651S12BFGI和70T651S12DRI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T651S12BFGI 70T651S12DRI 70T3519S133BFGI

描述 静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAM静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAMDual-Port SRAM, 256KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 208 208 208

封装 CABGA-208 PQFP-208 LFBGA-208

存取时间 12 ns 12 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V

长度 15 mm 28 mm 15.0 mm

宽度 15 mm 28 mm 15.0 mm

高度 1.4 mm 3.5 mm -

封装 CABGA-208 PQFP-208 LFBGA-208

厚度 1.40 mm 3.50 mm 1.40 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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