IRFP460和STW14NK50Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP460 STW14NK50Z IRFP460PBF

描述 MOSFET N-Chan 500V 20A, End of Life MOSFET N-Chan 500V 20A, End of Life MOSFET N-Chan 500V 20A, End of LifeSTMICROELECTRONICS  STW14NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.34 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 20.0 A 14.0 A 20.0 A

通道数 1 - -

漏源极电阻 270 mΩ 0.34 Ω 0.27 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 260 W 150 W 280 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 14.0 A 20.0 A

上升时间 81 ns 16 ns 59 ns

输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 4200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 260 W 150 W 280 W

下降时间 65 ns 12 ns 58 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 260W (Tc) 150W (Tc) 280 W

额定功率 - 150 W 280 W

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 3.75 V 4 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±20.0 V

输入电容 - 2000 pF -

长度 16.26 mm 15.75 mm 15.87 mm

宽度 5.3 mm 5.15 mm 5.31 mm

高度 21.46 mm 20.15 mm 20.7 mm

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 - NLR NLR

ECCN代码 - EAR99 -

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