对比图
型号 ZVNL120GTA ZVNL120GTC BSP130,115
描述 N沟道 200V 320mAMOSFET N-CHAN 200V SOT223NXP BSP130,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
引脚数 4 - 3
耗散功率 2 W 2 W 1.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - - 3
漏源极电阻 10.0 Ω - 6 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
阈值电压 - - 2 V
漏源极电压(Vds) 200 V - 300 V
连续漏极电流(Ids) 320 mA - 350 mA
输入电容(Ciss) 85pF @25V(Vds) - 120pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W - 1.5 W
耗散功率(Max) 2000 mW - 1.5W (Ta)
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 320 mA - -
输入电容 85.0 pF - -
漏源击穿电压 200 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
上升时间 8 ns - -
下降时间 12 ns - -
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
长度 - - 6.7 mm
宽度 - - 3.7 mm
高度 - - 1.7 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)