对比图
型号 IPD160N04LG IPD170N04NG IPD088N06N3GBTMA1
描述 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor40V,30A,N沟道功率MOSFETINFINEON IPD088N06N3GBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252 TO-252 TO-252-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 31.0 W 31.0 W 71 W
额定功率 - - 71 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.0071 Ω
阈值电压 - - 3 V
输入电容 - - 2900 pF
漏源极电压(Vds) - - 60 V
连续漏极电流(Ids) - - 50A
上升时间 - - 40 ns
输入电容(Ciss) - - 2900pF @30V(Vds)
下降时间 - - 5 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 71000 mW
封装 TO-252 TO-252 TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.41 mm
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17