对比图
型号 SI2343CDS-T1-GE3 SI2343DS-T1-E3
描述 P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY SI2343DS-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -4A
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23 SOT-23
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.037 Ω 0.086 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 1.25 W
漏源极电压(Vds) - -30.0 V
连续漏极电流(Ids) - -4.00 A
上升时间 - 15 ns
下降时间 - 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
输入电容(Ciss) 590pF @15V(Vds) -
耗散功率(Max) 2.5 W -
长度 3.04 mm 3.04 mm
高度 1.02 mm 1.02 mm
封装 SOT-23 SOT-23
宽度 1.4 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -