STP20NM60A和STP20NM60FD

对比图

型号 STP20NM60A STP20NM60FD STB20NM60A-1

描述 N沟道650V @ TJMAX - 0.25欧姆 - 20A I2PAK / TO- 220 / TO- 220FP N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 Ohm - 20A I2PAK/TO-220/TO-220FPSTMICROELECTRONICS  STP20NM60FD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 10 V, 4 VN沟道650V @ TJMAX - 0.25欧姆 - 20A IPAK / TO- 220 / TO- 220FP N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 Ohm - 20A IPAK/TO-220/TO-220FP

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 I2PAK

引脚数 - 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A 20A

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 20.0 A 20.0 A -

漏源极电阻 290 mΩ 290 mΩ -

耗散功率 192W (Tc) 192 W -

漏源击穿电压 650 V 600 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

上升时间 16.0 ns 12 ns -

输入电容(Ciss) 1630pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 192 W 192 W -

耗散功率(Max) 192W (Tc) 192W (Tc) -

额定功率 - 45 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 1.30 nF -

栅电荷 - 37.0 nC -

下降时间 - 22 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3 I2PAK

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -