2N1485和JANTX2N1485

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N1485 JANTX2N1485 JAN2N1485

描述 NPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORNPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORNPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-8-3 TO-233 TO-8

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 3A 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) - 35 @750mA, 4V 35 @750mA, 4V

额定功率(Max) - 1.75 W 1.75 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW

耗散功率 1.75 W 1750 mW -

封装 TO-8-3 TO-233 TO-8

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

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