对比图
型号 IPB80N06S2L09ATMA1 IPB80N06S2L09ATMA2
描述 Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S2L09ATMA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装N-CH 55V 80A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 190W (Tc) 190W (Tc)
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A
输入电容(Ciss) 2620pF @25V(Vds) 2620pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 190W (Tc)
上升时间 - 19 ns
下降时间 - 18 ns
长度 10 mm -
宽度 9.25 mm -
高度 4.4 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅