EMX2DXV6T5和EMX2DXV6T5G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 EMX2DXV6T5 EMX2DXV6T5G

描述 双NPN通用晶体管放大器 Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor双NPN通用晶体管放大器 Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-563-6 SOT-563

引脚数 - 6

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN

耗散功率 357 mW 0.5 W

增益频宽积 180 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @1mA, 6V 120 @1mA, 6V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

频率 - 180 MHz

耗散功率(Max) - 500 mW

长度 1.6 mm -

宽度 1.2 mm -

高度 0.55 mm -

封装 SOT-563-6 SOT-563

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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