对比图
型号 FQP6N80C STP80NF10 STP4NK80Z
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP6N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 2.1 ohm, 10 V, 5 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP4NK80Z. 场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 3A, TO-220
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 800 V 100 V 800 V
额定电流 5.50 A 80.0 A 3.00 A
额定功率 - 300 W 80 W
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 2.1 Ω 0.012 Ω 3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 158 W 300 W 80 W
阈值电压 5 V 3 V 3.75 V
输入电容 - 5500 pF -
漏源极电压(Vds) 800 V 100 V 800 V
漏源击穿电压 800 V 100 V 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.50 A 80.0 A 3.00 A
上升时间 65 ns 80 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 1310pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 158 W 300 W 80 W
下降时间 44 ns 60 ns 32 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 158W (Tc) 300W (Tc) 80000 mW
长度 10.1 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -