对比图
描述 Power Bipolar Transistor,NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORON SEMICONDUCTOR 2N3055G 双极晶体管
数据手册 ---
制造商 Taitron Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-3 TO-204-2
耗散功率 - 6 W 115 W
击穿电压(集电极-发射极) - 70 V 60 V
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @4A, 4V 20
额定功率(Max) - 6 W 115 W
工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 6000 mW 115 W
频率 - - 2.5 MHz
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 15.0 A
针脚数 - - 3
极性 - - NPN
增益频宽积 - - 2.5 MHz
热阻 - - 1.52℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流 - - 15A
最大电流放大倍数(hFE) - - 70
直流电流增益(hFE) - - 70
封装 - TO-3 TO-204-2
长度 - - 39.37 mm
宽度 - - 26.67 mm
高度 - - 8.51 mm
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99