对比图
型号 BUK456-800A BUZ80A
描述 功率MOS晶体管 PowerMOS transistorSIPMOS大功率晶体管（ N沟道增强模式） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole
封装 - TO-220-3
耗散功率 - 100W (Tc)
漏源极电压(Vds) - 800 V
输入电容(Ciss) - 1350pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - 100W (Tc)
额定功率 - -
漏源极电阻 - -
极性 - -
漏源击穿电压 - -
栅源击穿电压 - -
连续漏极电流(Ids) - -
封装 - TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Discontinued at Digi-Key
包装方式 - Tube
RoHS标准 - Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead
ECCN代码 - -