BUZ80A参数规格_中文资料_数据手册PDF

BUZ80A概述

SIPMOS大功率晶体管（ N沟道增强模式） SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode

N-Channel 800V 3.6A Tc 100W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB

Win Source:
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB

BUZ80A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 800 V

输入电容Ciss 1350pF @25VVds

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BUZ80A

型号： BUZ80A

描述：SIPMOS大功率晶体管（ N沟道增强模式） SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode

替代型号BUZ80A

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BUZ80A Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
BUZ81 英飞凌	类似代替	BUZ80A和BUZ81的区别
IRFBE30PBF Vishay Intertechnology	功能相似	BUZ80A和IRFBE30PBF的区别
BUK456-800A 恩智浦	功能相似	BUZ80A和BUK456-800A的区别