对比图
型号 MUN5314DW1T1G UMD9NTR PUMD9,115
描述 ON SEMICONDUCTOR MUN5314DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-363NPN+PNP 晶体管，ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.NXP PUMD9,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SC-70-6 SC-70-6 TSSOP-6
额定电压(DC) 50.0 V - -
额定电流 100 mA 70.0 mA -
极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN, PNP
耗散功率 187 mW 0.15 W 200 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 68 @5mA, 5V 100 @5mA, 5V
额定功率(Max) 250 mW 150 mW 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 385 mW 300 mW -
额定功率 - 0.15 W -
通道数 - 2 -
增益带宽 - 250 MHz -
针脚数 - - 6
直流电流增益(hFE) - - 100
长度 2 mm 2.1 mm 2.2 mm
宽度 1.25 mm 1.35 mm 1.35 mm
高度 0.9 mm 0.9 mm 1 mm
封装 SC-70-6 SC-70-6 TSSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 - - NLR