KSH32CTF和MJD32CTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH32CTF MJD32CTF MJD32CRLG

描述 Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD32CTF  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 3 MHz, 1.56 W, -3 A, 10 hFEPNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 3 MHz 3 MHz 3 MHz

额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V

额定电流 -3.00 A -3.00 A -3.00 A

针脚数 - 3 -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 1.56 W 1.56 W 15 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 3A 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

直流电流增益(hFE) - 10 10

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 15 W 15 W 1560 mW

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

最大电流放大倍数(hFE) - - 50

长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm

宽度 6.1 mm 6.1 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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