PUMH9,115和PUMH9,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PUMH9,115 PUMH9,135 PUMH9,165

描述 NXP  PUMH9,115  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363TSSOP NPN 50V 100mATSSOP NPN 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363-6 SOT-363-6 SOT-363-6

针脚数 6 - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 300 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 @5mA, 5V 100 @5mA, 5V 100 @5mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 100 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

高度 1 mm 1 mm 1 mm

封装 SOT-363-6 SOT-363-6 SOT-363-6

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

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