对比图
型号 MMBT3906LP-7B ZTX653 MMBT3906LT3G
描述 MMBT3906LP 系列 PNP 40 V 200 mA 表面贴装 小信号 晶体管 - X1-DFN1006-3ZTX653 系列 NPN 2 A 100 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 DFN-3 TO-92-3 SOT-23-3
频率 300 MHz 175 MHz 250 MHz
额定电压(DC) - 100 V -40.0 V
额定电流 - 2.00 A -200 mA
针脚数 - 3 3
极性 PNP NPN PNP
耗散功率 1 W 1 W 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 100 V 40 V
集电极最大允许电流 0.2A 2A 0.2A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 100 @10mA, 1V
额定功率(Max) 250 mW 1 W 225 mW
直流电流增益(hFE) - 100 100
工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 460 mW 1000 mW 225 mW
额定功率 - 1 W -
增益频宽积 - 175 MHz -
长度 - 4.77 mm 3.04 mm
宽度 - 2.41 mm 1.4 mm
高度 - 4.01 mm 1.01 mm
封装 DFN-3 TO-92-3 SOT-23-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 EAR99