FDI040N06和TP-120

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDI040N06 TP-120 FDI030N06

描述 N沟道MOSFET的PowerTrench 60V , 168A , 4.0mW时 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 168A, 4.0mW8 X 8 Dot Matrix LED DisplayPowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) LiteOn (光宝) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-262-3 - TO-262-3

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 231W (Tc) - 231 W

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

连续漏极电流(Ids) 168A - 193A

上升时间 - - 178 ns

输入电容(Ciss) 8235pF @25V(Vds) - 9815pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 231 W - 231 W

下降时间 - - 33 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 231W (Tc) - 231W (Tc)

长度 - - 10.29 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

封装 TO-262-3 - TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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