IRFR5505PBF和NTD20P06LT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR5505PBF NTD20P06LT4G IRFR5505TRPBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR5505PBF  场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 18A, D-PAK 新ON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAKINTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR5505TRPBF  场效应管, MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ON Semiconductor (安森美) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -55.0 V -60.0 V -55.0 V

额定电流 -18.0 A -15.0 A -18.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.11 Ω 0.143 Ω 0.11 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 57 W 65 W 57 W

阈值电压 - 1.5 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) -18.0 A 15.5 A -18.0 A

上升时间 28.0 ns 90 ns 28.0 ns

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 1190pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 57 W 65 W 57 W

下降时间 - 70 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 65000 mW -

产品系列 IRFR5505 - IRFR5505

漏源击穿电压 -55.0 V - -

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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