NTD32N06L和NTD32N06LT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTD32N06L NTD32N06LT4 NTD32N06LT4G

描述 32A,60V功率MOSFET功率MOSFET 32安培, 60伏特,逻辑电平( N沟道DPAK ) Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts, Logic Level(N−Channel DPAK)32A,60V功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 24.0 V

额定电流 32.0 A 32.0 A 30.0 A

漏源极电阻 23.7 mΩ 23.7 mΩ 23.7 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.5 W 93.8 W 93.75 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60.0 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 32.0 A 32.0 A 32.0 A

上升时间 221 ns 221 ns 221 ns

输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) - 1700pF @25V(Vds)

下降时间 128 ns - 128 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.5 W - 1.5 W

输入电容 1.72 nF - -

栅电荷 60.0 nC - -

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Rail Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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