对比图
型号 IRF3710STRLPBF IRF3710STRRPBF IRF3710SPBF
描述 N沟道,100V,57A,23mΩ@10VN 沟道 100 V 200 W 130 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3INFINEON IRF3710SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 200 W 200 W 200 W
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 3.8 W 200 W
输入电容 3130 pF - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 57A 57A 57A
上升时间 58 ns 58 ns 58 ns
输入电容(Ciss) 3130pF @25V(Vds) 3130pF @25V(Vds) 3130pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W - -
下降时间 47 ns 47 ns 47 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 23 mΩ 0.023 Ω
漏源击穿电压 - 100 V -
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 4 V
长度 9.65 mm 6.5 mm 10.67 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 9.65 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17