对比图
型号 B2013 MRF323 SD1477
描述 RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPNRF功率晶体管NPN硅 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICONRF功率双极晶体管VHF移动应用程序 RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS
数据手册 ---
制造商 Ericsson Microelectronics M/A-Com ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Chassis Surface Mount
封装 - 244-04 M-111
引脚数 - - 6
耗散功率 - 55 W 270 W
输出功率 - 20 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 33 V 18 V
增益 - 11 dB 6 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @1A, 5V 10 @5A, 5V
额定功率(Max) - 20 W 270 W
额定电压(DC) - - 18.0 V
额定电流 - - 20.0 A
最大电流放大倍数(hFE) - - 10 @5A, 5V
工作温度(Max) - - 200 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 270000 mW
封装 - 244-04 M-111
长度 - - 24.89 mm
宽度 - - 21.97 mm
高度 - - 7.11 mm
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 - Tray Tray
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - - 200℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99