对比图
描述 NXP 2N7002BKV 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 340 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 VVISHAY SI1026X-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, SC-89
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 SOT-666 SC-89-6
针脚数 6 6
漏源极电阻 1 Ω 1.4 Ω
极性 Dual N-Channel N-Channel
耗散功率 525 mW 250 mW
阈值电压 1.6 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 0.34A 500 mA
输入电容(Ciss) 33pF @10V(Vds) 30pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.41 W 0.25 W
输入电容 - 30pF @25V
漏源击穿电压 - 60 V
长度 1.7 mm 1.7 mm
宽度 1.3 mm 1.7 mm
高度 0.6 mm 0.6 mm
封装 SOT-666 SC-89-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown -
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
香港进出口证 NLR -