








VISHAY SI1026X-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, SC-89
**Features:
**
* Halogen-Free Option Available
* Low On-Resistance: 1.40 Ω
* Low Threshold: 2 V Typ.
* Low Input Capacitance: 30 pF
* Fast Switching Speed: 15 ns Typ.
* Low Input and Output Leakage
* ESD Protected: 2000 V
* Miniature Package
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories, Transistors, etc.
* Battery Operated Systems
* Solid State Relays
欧时:
### 双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
e络盟:
VISHAY SI1026X-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, SC-89
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
富昌:
单 N沟道 60 V 1.4 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SC-89
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
Newark:
# VISHAY SI1026X-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 1.4 V, 2.5 V
针脚数 6
漏源极电阻 1.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 mW
阈值电压 2.5 V
输入电容 30pF @25V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 500 mA
输入电容Ciss 30pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.25 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-89-6
长度 1.7 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.6 mm
封装 SC-89-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI1026X-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7002BKV 恩智浦 | 功能相似 | SI1026X-T1-GE3和2N7002BKV的区别 |