SI1026X-T1-GE3

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SI1026X-T1-GE3概述

VISHAY  SI1026X-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, SC-89

**Features:

**

* Halogen-Free Option Available

* Low On-Resistance: 1.40 Ω

* Low Threshold: 2 V Typ.

* Low Input Capacitance: 30 pF

* Fast Switching Speed: 15 ns Typ.

* Low Input and Output Leakage

* ESD Protected: 2000 V

* Miniature Package

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories, Transistors, etc.

* Battery Operated Systems

* Solid State Relays


欧时:
### 双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


e络盟:
VISHAY  SI1026X-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, SC-89


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R


富昌:
单 N沟道 60 V 1.4 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SC-89


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R


Newark:
# VISHAY  SI1026X-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 1.4 V, 2.5 V


SI1026X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 1.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

阈值电压 2.5 V

输入电容 30pF @25V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 500 mA

输入电容Ciss 30pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-89-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.6 mm

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SI1026X-T1-GE3
型号: SI1026X-T1-GE3
描述:VISHAY  SI1026X-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, SC-89
替代型号SI1026X-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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恩智浦

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