IRLR120NTRLPBF和IRLR120NTRPBF的区别_IRLR120NTRLPBF代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR120NTRLPBF IRLR120NTRPBF IRLR120ATM

描述单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON IRLR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.185 ohm, 10 V, 2 VTrans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

额定功率 39 W 39 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 185 mΩ 0.185 Ω -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 48 W 39 W -

阈值电压 2 V 2 V -

输入电容 - 440 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V -

连续漏极电流(Ids) 10A 10A 8.4A

上升时间 35 ns 35 ns -

输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 48 W -

下降时间 22 ns 22 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 48W (Tc) 48W (Tc) -

额定电流 11.0 A - -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99