对比图
型号 FDS6875 SI4943BDY-T1-E3 SI4963BDY-T1-E3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6875 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 6 A, -20 V, 0.024 ohm, -4.5 V, -800 mV双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -20 V, 0.025 ohm, -2.5 V, -1.4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -20.0 V - -
额定电流 -6.00 A - -
通道数 2 - -
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.024 Ω 19 mΩ 0.025 Ω
极性 P-Channel Dual P-Channel Dual P
耗散功率 2 W 2 W 1.1 W
输入电容 2.25 nF - -
栅电荷 23.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20 V - -
栅源击穿电压 ±8.00 V - -
连续漏极电流(Ids) -6.00 A -8.40 A 4.9A
上升时间 15 ns 10 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 2250pF @10V(Vds) - -
额定功率(Max) 900 mW 1.1 W 1.1 W
下降时间 35 ns 60 ns 55 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW -
阈值电压 - - 1.4 V
反向恢复时间 - 55 ns -
正向电压(Max) - 1.2 V -
工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -
长度 4.9 mm - -
宽度 3.9 mm - -
高度 1.5 mm - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2500 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -