BD438和BD438G

对比图

型号 BD438 BD438G BD434

描述 STMICROELECTRONICS  BD438.  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 36 W, 4 A, 30 hFEON SEMICONDUCTOR  BD438G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 3 MHz, 36 W, -4 A, 3 hFESTMICROELECTRONICS  BD434  单晶体管 双极, PNP, 22 V, 36 W, 4 A, 140 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 3 MHz 3 MHz -

额定功率 36 W - -

针脚数 3 3 3

极性 Dual N-Channel, Dual P-Channel PNP PNP

耗散功率 36 W 36 W 36 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 22 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @10mA, 5V 85 @500mA, 1V 40 @10mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 130 - -

额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W

直流电流增益(hFE) 130 3 140

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 36 W 36000 mW 36000 mW

额定电压(DC) - -45.0 V -

额定电流 - -4.00 A -

无卤素状态 - Halogen Free -

集电极最大允许电流 - 4A -

长度 7.8 mm - -

宽度 2.7 mm - -

高度 10.8 mm - -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -