MBT3946DW1T1G和MMDT3946-7-F

对比图

型号 MBT3946DW1T1G MMDT3946-7-F MBT3946DW1T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MBT3946DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 250 hFE, SOT-363特点•互补配对互补NPN/ PNP小信号表面贴装晶体管？•一个NPN，一个3904型3906型PNP•外延平面电路小片建设•适用于低功率放大和开关•超小型表面贴装封装？•无铅/ RoHS规定（注3）双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-6 SOT-363-6 TSSOP-6

引脚数 6 6 -

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 200 mA 200 mA 200 A

极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN+PNP

漏源击穿电压 - - 40.0 V

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - 300 300

额定功率(Max) 150 mW 200 mW 150 mW

频率 300 MHz 300 MHz -

针脚数 6 6 -

耗散功率 150 mW 200 mW -

直流电流增益(hFE) 300 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 150 mW 200 mW -

额定功率 - 0.2 W -

增益频宽积 - 300 MHz -

封装 SC-70-6 SOT-363-6 TSSOP-6

长度 2.2 mm 2.2 mm -

宽度 1.35 mm 1.35 mm -

高度 1 mm 1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - NLR