SD56120和SD56120M

对比图

型号 SD56120 SD56120M BLF0810S-90

描述 射频功率晶体管射频功率晶体管 RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORSRF功率晶体管的LDMOST系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST FAMILY基站LDMOS晶体管 Base station LDMOS transistors

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Screw -

引脚数 5 5 -

封装 M-246 M-252 -

频率 860 MHz 860 MHz -

额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V -

额定电流 14 A 14 A -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 217 W 236000 mW -

输入电容 82.0 pF 221 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 65 V -

漏源击穿电压 65 V 65.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A -

输出功率 100 W 120 W -

增益 16 dB 16 dB -

测试电流 400 mA 400 mA -

输入电容(Ciss) 82pF @28V(Vds) 221pF @28V(Vds) -

输出功率(Max) 100 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 217000 mW 236000 mW -

额定电压 65 V 65 V -

长度 29.08 mm - -

宽度 5.97 mm - -

高度 5.08 mm - -

封装 M-246 M-252 -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -