IXTA98N075T和IXTP98N075T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA98N075T IXTP98N075T STP80NF70

描述 D2PAK N-CH 75V 98ATO-220AB N-CH 75V 98AN沟道68 V, 0.0082 I© , 98 , TO- 220 STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 68 V, 0.0082 Ω, 98 A, TO-220 STripFET™ II Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 10 mΩ - 9.8 mΩ

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 200 W 230W (Tc) 190 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 68 V

漏源击穿电压 75 V - 68 V

连续漏极电流(Ids) 98A 98A 98A

上升时间 42 ns 42 ns 60 ns

下降时间 27 ns 27 ns 75 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 230W (Tc) 230W (Tc) 190W (Tc)

输入电容(Ciss) - 3100pF @25V(Vds) 2550pF @25V(Vds)

阈值电压 - - 4 V

额定功率(Max) - - 190 W

长度 9.9 mm - -

宽度 9.2 mm - -

高度 4.5 mm - -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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