BY229B-800-E3/45和STTH810G-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BY229B-800-E3/45 STTH810G-TR

描述 DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB超快恢复 - 高电压二极管 Ultrafast recovery - high voltage diode

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

正向电压 1.85V @20A 2V @8A

热阻 - 2.5 ℃/W

反向恢复时间 145 ns 85 ns

正向电流 - 8000 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 60 A

正向电压(Max) - 2V @8A

正向电流(Max) - 8000 mA

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

工作结温 - 175℃ (Max)

宽度 - 9.35 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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