对比图
型号 IRFH5015TRPBF SI7430DP-T1-E3 FDMS2572
描述 INFINEON IRFH5015TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 150 V, 0.0255 ohm, 10 V, 5 V 新VISHAY SI7430DP-T1-E3 晶体管, N沟道FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS2572 晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 0.036 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PQFN-8 SOIC Power-56-8
额定功率 250 W - -
通道数 1 - 1
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0255 Ω 0.045 Ω 0.036 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.6 W 5.2 W 78 W
阈值电压 5 V 2.5 V 3 V
输入电容 2300 pF - 1.96 nF
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
漏源击穿电压 150 V - 150 V
连续漏极电流(Ids) 10A 26.0 A 27.0 A
上升时间 9.7 ns 12 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 2300pF @50V(Vds) 1735pF @50V(Vds) 2610pF @75V(Vds)
下降时间 3.4 ns - 31 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.6W (Ta) 5200 mW 78 W
额定电压(DC) - - 150 V
额定电流 - - 4.50 A
栅电荷 - - 31.0 nC
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
额定功率(Max) - - 2.5 W
长度 5 mm - 5 mm
宽度 5 mm - 6 mm
高度 0.83 mm 1.04 mm 0.75 mm
封装 PQFN-8 SOIC Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99