NTMD4N03R2G和RSS075P03TB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTMD4N03R2G RSS075P03TB STS4DNF30L

描述 N 通道 MOSFET,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorSOP P-CH 30V 7.5A双N沟道30V - 0.039ohm - 4A SO- 8的STripFET TM功率MOSFET Dual N-channel 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET TM Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOP-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V -30.0 V 30.0 V

额定电流 4.00 A -7.50 A 4.00 A

漏源极电阻 0.048 Ω - 50.0 mΩ

极性 N-Channel P-CH N-Channel

耗散功率 2 W 2W (Ta) 2.00 W

输入电容 - - 330 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A, 4.00 mA 7.50 A 4.00 A

上升时间 14 ns 35.0 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 400pF @20V(Vds) 2900pF @10V(Vds) 330pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

下降时间 10 ns - 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2W (Ta) 2000 mW

针脚数 8 - -

阈值电压 1.9 V - -

封装 SOIC-8 SOP-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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