MPSW51A和MPSW51ARLRP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSW51A MPSW51ARLRP MPSW51ARLRPG

描述 一瓦高电流晶体管( PNP硅) One Watt High Current Transistors(PNP Silicon)TO-92 PNP 40V 1A一瓦高电流晶体管 One Watt High Current Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 - - 50 MHz

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -40.0 V

额定电流 -1.00 A -1.00 A -1.00 A

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 1 W - 1 W

增益频宽积 50 MHz - 50 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 - 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V

额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1000 mW

集电极击穿电压 -50.0 V (min) - -

长度 5.21 mm - 5.21 mm

宽度 4.19 mm - 4.19 mm

高度 7.87 mm - 7.87 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape Tape

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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