对比图
型号 IPB60R099CP IPB60R099CPA IPB60R099C6
描述 INFINEON IPB60R099CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON IPB60R099C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 25.0 V - -
额定电流 50.0 A - -
通道数 1 1 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.09 Ω - 0.09 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 255 W 255 W 278 W
阈值电压 3 V - 3 V
输入电容 2.80 nF - -
栅电荷 80.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 31A 37.9A
上升时间 5 ns 5 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @100V(Vds) 2800pF @100V(Vds) 2660pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 255 W 255 W 278 W
下降时间 5 ns 5 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 255W (Tc) 255 W 278W (Tc)
额定功率 - - 278 W
漏源击穿电压 - - 600 V
长度 10.31 mm 10 mm 10 mm
宽度 9.25 mm 9.25 mm 9.25 mm
高度 4.57 mm 4.4 mm 4.4 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -