FDS9926A和FDS9936A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS9926A FDS9936A NTMD6N02R2G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9926A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V双N沟道增强型场效应晶体管 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorN 通道 MOSFET,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V

额定电流 6.50 A - 6.00 A

通道数 2 - 2

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.025 Ω - 0.035 Ω

极性 Dual N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 2 W - 2 W

阈值电压 1 V - 900 mV

输入电容 650 pF - -

栅电荷 6.20 nC - -

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

漏源击穿电压 20 V - 20 V

栅源击穿电压 ±10.0 V - ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.50 A 5.5A 6.50 A

上升时间 9 ns - 50.0 ns

输入电容(Ciss) 650pF @10V(Vds) - 1100pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW - 730 mW

下降时间 4 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW - 2 W

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司