ULN2803ADW和ULN2803ADWRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2803ADW ULN2803ADWRG4 ULN2803A

描述 Darlington Transistor Arrays, Texas InstrumentsThis array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current.### 达林顿晶体管驱动器达林顿晶体管阵列 DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYSTMICROELECTRONICS  ULN2803A  双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 18 18 18

封装 SOIC-18 SOIC-18 DIP-18

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

驱动器/包 8 8 -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -20 ℃

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 500 mA

输出电压 50 V - 50 V

输出电流 0.5 A - 500 mA

通道数 8 - 8

针脚数 18 - 18

耗散功率 - - 2.25 W

输入电容 - - 15.0 pF

最小电流放大倍数(hFE) - - 1000 @350mA, 2V

额定功率(Max) - - 2.25 W

直流电流增益(hFE) - - 1000

耗散功率(Max) - - 2250 mW

电源电压 - - 5 V

输入电压 30 V - 30 V

长度 11.62 mm 11.62 mm 23.24 mm

宽度 7.52 mm 7.52 mm 7.1 mm

高度 2.35 mm 2.35 mm 3.93 mm

封装 SOIC-18 SOIC-18 DIP-18

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -20℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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