对比图
型号 IRF3711ZPBF STP75N3LLH6 STP90NF03L
描述 Trans MOSFET N-CH 20V 92A 3Pin(3+Tab) TO-220ABN沟道30 V ， 0.0042 I© ， 75 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ，短IPAK N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAKN沟道30V - 0.0056ohm - 90A TO- 220 / I2PAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A TO-220/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 20.0 V - 30.0 V
额定电流 92.0 A - 90.0 A
额定功率 79 W - -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 79 W 60 W 150 W
产品系列 IRF3711Z - -
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 20.0 V - 30 V
连续漏极电流(Ids) 92.0 A 75A 90.0 A
上升时间 16.0 ns 30 ns 200 ns
输入电容(Ciss) 2150pF @10V(Vds) 2030pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 79 W 60 W 150 W
下降时间 - 12 ns 105 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 60W (Tc) 150W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 6.5 mΩ
输入电容 - - 2700 pF
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 - - 9.15 mm
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99