对比图
型号 FDB3652 FQB70N08TM NVB6412ANT4G
描述 FDB3652 系列 100 V 16 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet - D2PAK-3FQB70N08 / FQI70N08 80V N沟道MOSFET FQB70N08 / FQI70N08 80V N-Channel MOSFETD2PAK N-CH 100V 58A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
耗散功率 150 W 3.75 W 167W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 80 V 100 V
上升时间 85 ns 300 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 3.75 W -
下降时间 45 ns 145 ns 126 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150000 mW 3.75W (Ta), 155W (Tc) 167W (Tc)
额定电压(DC) - 80.0 V -
额定电流 - 70.0 A -
漏源极电阻 - 17.0 mΩ -
极性 - N-Channel N-CH
漏源击穿电压 - 80.0 V -
栅源击穿电压 - ±25.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 70.0 A 58A
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 9.65 mm -
高度 - 4.83 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not For New Designs Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -