对比图
型号 IXGN200N60B STGE200NB60S IXGN200N60B3
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 600000mW 4Pin SOT-227BSTMICROELECTRONICS STGE200NB60S 单晶体管, IGBT, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚IXGN 系列 600 Vce 300 A 44 ns t(on) 中速 IGBT - SOT-227B
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Screw Screw
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
额定功率 - 600 W 830 W
针脚数 - 4 4
耗散功率 600000 mW 600 W 830 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
输入电容(Cies) 11nF @25V 1.56nF @25V 26nF @25V
额定功率(Max) 600 W 600 W 830 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 600000 mW 600000 mW 830000 mW
额定电压(DC) - 600 V -
额定电流 - 150 A -
极性 - N-Channel -
漏源极电压(Vds) - 600 V -
连续漏极电流(Ids) - 200 A -
上升时间 - 112 ns -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
长度 - 38.2 mm -
宽度 25.42 mm 25.5 mm -
高度 - 9.1 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99