对比图
型号 FDB031N08 STB160N75F3 BUK764R0-75C,118
描述 FDB031N08 系列 75 V 3.1 mOhm N沟道 PowerTrench® MOSFET - D2PAK-3N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsD2PAK N-CH 75V 199A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 375 W 330 W 333 W
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 235A 60.0 A 199A
上升时间 191 ns 65 ns 133 ns
输入电容(Ciss) 15160pF @25V(Vds) 6750pF @25V(Vds) 11659pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 375 W 330 W 333 W
下降时间 121 ns 15 ns 119 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 375W (Tc) 330W (Tc) 333W (Tc)
长度 10.67 mm 10.75 mm -
宽度 11.33 mm 10.4 mm -
高度 4.83 mm 4.6 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -