对比图
型号 IRLR3636TRPBF STD60N55F3 SUD50N06-07L-E3
描述 N沟道,60V,99A,8.3mΩ@4.5VN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN通道60 -V （D -S ） ， 175℃ MOSFET N-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-Channel N-CH -
耗散功率 143 W 110 W 136 W
输入电容 - 2200 pF -
漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - 80A -
上升时间 - 50 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 3779pF @50V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 5800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 143 W 110 W 136 W
下降时间 - 11.5 ns 14 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 136000 mW
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 6.2 mm -
高度 - 2.4 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99